[发明专利]发光显示装置有效
申请号: | 201410406704.9 | 申请日: | 2009-11-27 |
公开(公告)号: | CN104157676A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 小野晋也 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 徐健;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种发光显示装置。发光显示装置(10)包括:基板(210);驱动晶体管(103),其包括设置在基板(210)的上方的半导体层(220)、设置在半导体层(220)上的栅极绝缘膜(230)、设置在栅极绝缘膜(230)上的栅电极(103g)、以及源电极(103s)和漏电极(103d);设置在栅电极(103g)上的层间绝缘膜(240);由使用驱动晶体管(103)而构成的驱动电路驱动发光的有机EL元件(104);以及在栅电极(103g)的上方区域内配置在层间绝缘膜(240)上的电容器电极,电容器电极(102b)与栅电极(103g)之间构成电容器(102)。由此,能够通过不设置或增加电容器专用的区域而设置电容器,从而提高设计的自由度。 | ||
搜索关键词: | 发光 显示装置 | ||
【主权项】:
一种发光显示装置,具备:基板;第一薄膜晶体管,其包括半导体层、栅极绝缘膜、栅电极以及源电极和漏电极,所述半导体层设置在所述基板的上方,包括沟道区域、源极区域以及漏极区域,所述栅极绝缘膜设置在所述半导体层上,所述栅电极设置在所述栅极绝缘膜上,所述源电极与所述半导体层的所述源极区域电连接,所述漏电极与所述半导体层的所述漏极区域电连接;第二薄膜晶体管,其包括半导体层、栅极绝缘膜、栅电极以及源电极和漏电极,所述半导体层设置在所述基板的上方,包括沟道区域、源极区域以及漏极区域,所述栅极绝缘膜设置在所述半导体层上,所述栅电极设置在所述栅极绝缘膜上,所述源电极与所述半导体层的所述源极区域电连接,所述漏电极与所述半导体层的所述漏极区域电连接;层间绝缘膜,其设置在所述第一薄膜晶体管的栅电极上以及所述第二薄膜晶体管的栅电极上;发光元件,其由包括所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的驱动电路驱动发光;以及第一电容器电极,其配置在所述第一薄膜晶体管的栅电极的上方区域内且所述层间绝缘膜上,所述第一电容器电极与所述第一薄膜晶体管的栅电极之间构成第一电容器,所述第一电容器电极与所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极不连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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