[发明专利]一种基于SnO2的钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410407708.9 申请日: 2014-08-19
公开(公告)号: CN104157788B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 方国家;柯维俊;刘琴;陶洪;雷红伟;王静 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 代理人: 汪俊锋
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法。所述的钙钛矿薄膜光伏电池采用可低温制备的SnO2作为电子传输层,用以取代传统的需要高温烧结的TiO2电子传输层。这种基于低温制备的SnO2电子传输层的钙钛矿薄膜光伏电池取得了14.60%的高光电转化效率,大大优于基于传统高温烧结的TiO2电子传输层的钙钛矿太阳电池。SnO2薄膜的化学性质稳定而且制备过程简单,极大地简化钙钛矿电池的制备流程,有效地降低电池的制作成本,也能很好的改善钙钛矿薄膜光伏性能的稳定性。
搜索关键词: 一种 基于 sno2 钙钛矿 薄膜 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钙钛矿薄膜光伏电池, 由透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极组成,所述的电子传输层为二氧化锡薄膜;其特征在于, SnO2电子传输层的制备方法包括如下步骤:(1)将0.025 mol/L至0.2 mol/L的SnCl2•2H2O乙醇溶液搅拌三十分钟;(2)将配好的SnCl2•2H2O乙醇溶液用甩胶机均匀地旋涂在透明导电衬底上;(3)将甩好的电子传输层180‑400摄氏度条件下退火三十分钟。
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