[发明专利]阱电阻结构及其制造方法及绝缘体上硅器件在审
| 申请号： | 201410407727.1 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105448973A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王蛟;宋华;杨欢 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L21/334 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阱电阻结构，包括绝缘层和绝缘层上的有源区，所述有源区包括阱区，所述有源区还包括向下延伸至所述绝缘层的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构在横向上将所述阱区包围、在竖向上使所述阱区被分隔开；所述阱电阻结构还包括设于阱区上并与阱区接触的金属触点。本发明还涉及一种阱电阻结构的制造方法，及一种绝缘体上硅器件。本发明通过在有源区区域内形成沟槽隔离结构，使得阱区在横向上被沟槽隔离结构所阻挡，不会形成多数载流子的横向扩散，因此可以得到电阻值较准确的阱电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 结构 及其 制造 方法 绝缘体 器件 | ||
【主权项】：
一种阱电阻结构，包括绝缘层和绝缘层上的有源区，所述有源区包括阱区，其特征在于，所述有源区还包括向下延伸至所述绝缘层的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构在横向上将所述阱区包围、在竖向上使所述阱区被分隔开；所述阱电阻结构还包括设于阱区上并与阱区接触的金属触点。
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