[发明专利]电化学制备硅膜的方法有效
| 申请号： | 201410407980.7 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104419944B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 裴相垠;金钟润;延济元;朴泰洪;宋奎锡;金大贤;赵荣焕;朴勇俊;河英庆 | 申请（专利权）人： | 韩国原子力研究院 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司11467 | 代理人： | 刘英烈 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备硅薄膜的方法，使用所述方法制备的硅薄膜，及包括所述硅薄膜的电子设备。所述方法包括将氧化的硅元素溶液施加于基底并烧结氧化硅膜以制备紧密的氧化硅薄膜，电化学还原氧化硅薄膜以形成多孔硅膜，并再烧结多孔硅膜。因此，与传统方法相比，可以较低的价格及更少数的工艺容易地制备半导体、太阳能电池、蓄电池等中使用的硅薄膜，且因此提高产品的价格竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备硅薄膜的方法，其包括：(a)通过将氧化的硅元素溶液施加于基底并将其烧结来制备氧化硅薄膜；(b)在液体电解质中电化学还原所述氧化硅薄膜以形成多孔硅膜；以及：(c) 再烧结所述多孔硅膜以形成平板硅薄膜，其中，进一步向步骤(a)中的氧化的硅元素溶液添加氧化的碳元素，或，进一步向步骤(a)中的氧化的硅元素溶液添加硼（B）、氮（N）、铝（Al ）、磷（P）、硫（S）、镓（Ga ）、砷（As）、硒（Se）、铟（In ）、锡（Sn ）、锑（Sb）、碲（Te）或它们的氧化的元素。
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