[发明专利]低泄漏模拟开关在审
| 申请号： | 201410408825.7 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105720961A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王正香 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及低泄漏模拟开关。半导体隔离开关具有两个串联连接的主场效应晶体管(FET)，第一个主场效应晶体管被耦接在第一节点和中间节点之间，以及第二个主场效应晶体管被耦接在第二节点和中间节点之间。可控上拉场效应晶体管串联耦接到可控下拉场效应晶体管。可控上拉场效应晶体管被耦接在电源轨节点和公共节点之间，可控下拉场效应晶体管被耦接在接地轨节点和公共节点之间。泄漏控制晶体管被耦接在公共节点和中间节点之间。所有晶体管的栅极均与开关控制节点耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 泄漏 模拟 开关 | ||
【主权项】：
一种半导体隔离开关，包括：第一节点；第二节点；开关控制节点；两个串联连接的主场效应晶体管FET，其中，第一个主场效应晶体管耦接在所述第一节点和中间节点之间，以及第二个主场效应晶体管耦接在所述中间节点和所述第二节点之间；可控上拉场效应晶体管，串联耦接到可控下拉场效应晶体管，其中所述可控上拉场效应晶体管耦接在电源轨节点和公共节点之间，并且所述可控下拉场效应晶体管耦接在所述公共节点和接地轨节点之间；泄漏控制晶体管，耦接在所述公共节点和所述中间节点之间，其中所述主场效应晶体管、所述可控上拉场效应晶体管、所述可控下拉场效应晶体管，以及所述泄漏控制晶体管的每个都具有与所述开关控制节点耦接的相应的栅电极。
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