[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置

摘要

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置。一种薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极、有源层和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述有源层的上方，所述栅极、所述源极和所述漏极同层设置于所述栅极绝缘层的上方，所述有源层与所述源极通过第一连接电极连接，所述有源层与所述漏极通过第二连接电极连接。该薄膜晶体管以及包括该薄膜晶体管的阵列基板均为采用两次构图工艺即可形成，大大缩短了工艺时间，提高了工艺良率，降低了工艺成本。

主权项

一种薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极、有源层和栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极绝缘层设置于所述有源层的上方，所述栅极、所述源极和所述漏极同层设置于所述栅极绝缘层的上方，所述有源层与所述源极通过第一连接电极连接，所述有源层与所述漏极通过第二连接电极连接，所述有源层采用低温多晶硅材料形成，所述源极和所述漏极下方均对应设置有与所述有源层同层的多晶硅薄膜，所述有源层与对应着所述源极和所述漏极下方的所述多晶硅薄膜之间的区域填充有绝缘薄膜，所述源极与所述源极下方的栅极绝缘层以及所述源极下方的多晶硅薄膜的正投影重叠，所述漏极与所述漏极下方的栅极绝缘层以及所述漏极下方的多晶硅薄膜的正投影重叠。