[发明专利]一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410409636.1 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104230328A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张启龙;周珏辉;刘进壮;杨辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 周世骏 |
| 地址： | 310027 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于材料科学领域，旨在提供一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明中温烧结低介微波介质陶瓷材料的化学表达式为(1-x)Mg2SnO4–xLFV，其中：复合烧结助剂LFV为LiF-Fe2O3-V2O5，x＝2～5wt％，所述LiF-Fe2O3-V2O5中是由原料LiF，Fe2O3和V2O5的质量含量比为4∶1∶2组成。本发明的有益效果是：加入复合烧结助剂LFV，在陶瓷烧结过程中助剂熔化，形成液相，同时Fe离子进入Mg2SnO4晶格，共同促进烧结传质过程，显著降低Mg2SnO4陶瓷材料的烧结温度，可在1025-1075℃下致密烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述中温烧结低介微波介质陶瓷材料的化学表达式为(1‑x)Mg2SnO4–xLFV，其中：复合烧结助剂LFV为LiF‑Fe2O3‑V2O5，x＝2～5wt％，所述LiF‑Fe2O3‑V2O5中是由原料LiF，Fe2O3和V2O5的质量含量比为4∶1∶2组成。
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