[发明专利]一种提高纳米碳材料导电性的方法有效
| 申请号： | 201410410086.5 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104192826A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张强;唐城;魏飞 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于碳材料改性技术领域的一种提高纳米碳材料导电性的方法。本发明的方法为在不改变纳米碳材料结构和形貌的情况下，通过高温氢气处理，可以有效减少纳米碳材料表面的悬键、含氧官能团和杂质等，修补纳米碳材料中石墨基元，从而提高纳米碳材料的导电性。本发明的方法适用但不限于炭黑、石墨、碳纤维、碳纳米管材料、石墨烯材料、富勒分子材料、以及它们的杂化物和混合物。本发明适用范围广，条件温和可控，方法简单易操作，同时可以通过移动床、流化床等实现工程放大，对于提供纳米碳材料的导电性，改善其在电化学储能、电学器件等领域的应用性能具有非常重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 纳米 材料 导电性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高纳米碳材料导电性的方法，其特征在于，该方法包含如下步骤：1)将纳米碳材料均匀放置于反应器中，在惰性气体的载气气氛下加热升温；2)反应器达到上述设定温度后，向其中通入氢气，恒温处理后停止加热，冷却至室温后取出纳米碳材料。
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