[发明专利]一种基于电解液-氧化层-半导体结构的铜离子检测方法

摘要

本发明涉及一种新型的铜离子检测方法，主要是利用电解液‑氧化层‑半导体器件在测试中的I‑V曲线的分析来实现。其步骤包括：采用常规微机电系统工艺方法在硅衬底上淀积二氧化硅，并制造引出电极；用聚合物在已制作好的氧化硅‑半导体结构的氧化硅一面封装出储液池；向储液池中注入测试溶液，施加合适的测试激励，确定电极的放置方式和施加激励方式；将测试数据绘成曲线图，对比分析得到的I‑V曲线。由于外加高电场的作用下，正离子会扩散进入二氧化硅层中发生还原反应形成类金属的导电通道，所以含铜离子的电解液‑氧化层‑半导体器件的I‑V曲线能看到特殊的尖角现象。该器件使用了新的检测原理同时具有轻便、操作简单、速度快等优点，可以广泛用于离子检测、水污染监控、生化分析等领域。

主权项

1.一种基于电解液‑氧化层‑半导体结构的铜离子检测方法，包括如下步骤：1)采用常规微机电系统工艺方法在硅衬底上淀积二氧化硅，确定氧化硅的生长方法和厚度，然后制造引出电极；2)用聚合物在已制作好的二氧化硅‑半导体结构的二氧化硅一面封装出储液池，确定聚合物的种类及与二氧化硅键合的方式；3)向储液池中注入测试溶液，施加准静态电压激励，所述 电压的范围为‑20V～20V，确定电极的放置方式；4)将测试数据绘成曲线图，对比分析得到的I‑V曲线特征，根据是否有尖角来检测铜离子。