[发明专利]一种减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法在审
| 申请号： | 201410411972.X | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104134630A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，包括：步骤S01：在半导体衬底上依次沉积介电阻挡层以及含有致孔剂的低介电常数层；步骤S02：通入含碳气体对低介电常数层表面进行等离子体处理；步骤S03：去除致孔剂；步骤S04：在低介电常数层表面依次形成介电阻挡层以及金属硬质掩膜层；步骤S05：对所述金属硬质掩膜层、介电阻挡层、含碳氧化层和低介电常数层进行刻蚀，以形成沟槽。本发明通入含碳气体对低介电常数层进行等离子体处理，掺入的碳元素使含碳氧化层在化学溶液中的刻蚀速率接近低介电常数层的刻蚀速率，从而避免沟槽结构的侧壁出现凹陷，此外，掺入碳元素还可以降低薄膜的介电常数值，提高了器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 介质 常数 薄膜 侧壁 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种减少超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，包括：步骤S01：在半导体衬底上依次沉积介电阻挡层以及低介电常数层，其中，所述低介电常数层含有致孔剂；步骤S02：通入含碳气体对所述低介电常数层表面进行等离子体处理，以去除所述低介电常数层表面的反应物，且在所述低介电常数层表面形成含碳氧化层；步骤S03：对所述低介电常数层进行紫外线处理或加热处理，以去除所述致孔剂；步骤S04：在处理后的低介电常数层表面依次形成介电阻挡层以及金属硬质掩膜层；步骤S05：采用刻蚀工艺在所述金属硬质掩膜层、介电阻挡层、含碳氧化层和低介电常数层所形成层叠结构中形成沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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