[发明专利]高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法有效
| 申请号： | 201410412107.7 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104157759B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 刘炜;赵德刚;陈平;刘宗顺;江德生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法，其中高密度高均匀InGaN量子点结构，包括一衬底；一窗口阵列，其制作在衬底上；一GaN纳米柱，其生长在窗口阵列的开孔处，并与衬底表面接触；一第一InGaN量子点，其生长在GaN纳米柱的顶端；一第一势垒层，其覆盖第一InGaN量子点的顶端；一第二InGaN量子点，其生长在第一势垒层上；一第二势垒层，其生长在第一势垒层上，将第二InGaN量子点包裹住；多个InGaN量子点和势垒层，其依次重复生长在第二势垒层上。本发明具有选择性生长所具有的高密度高均匀性和自组装生长所具有的无缺陷高质量的双重优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 均匀 ingan 量子 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种高密度高均匀InGaN量子点结构，包括：一衬底；一窗口阵列，其制作在衬底上；一GaN纳米柱，其生长在窗口阵列的开孔处，并与衬底表面接触；一第一InGaN量子点，其生长在GaN纳米柱的顶端；一第一势垒层，其覆盖第一InGaN量子点的顶端；一第二InGaN量子点，其生长在第一势垒层上，该第二InGaN量子点通过应力的作用与第一InGaN量子点紧密耦合，保证了后续生长的量子点也是高密度高均匀分布；一第二势垒层，其生长在第一势垒层上，将第二InGaN量子点包裹住；多个InGaN量子点和势垒层，其依次重复生长在第二势垒层上。
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