[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件在审
| 申请号： | 201410412193.1 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104465920A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 户谷真悟;河合隆 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;郑斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种呈现出提高了发光性能的第III族氮化物半导体发光器件。p电极包括：连接到引线的引线接合部、以布线图案从引线接合部延伸的布线部、以及连接到布线部并且经由孔与透明电极接触的接触部。在p型层与透明电极之间的特定区域中设置有电流阻挡层。电流阻挡层由折射率小于p型层的折射率的绝缘并且透明的材料形成。特定区域是在俯视图中包括接触部的区域。电流阻挡层没有设置在与引线接合部和布线部重叠的区域中。电流阻挡层的宽度比接触部的宽度大0μm至9μm。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物半导体发光器件，所述第III族氮化物半导体发光器件具有依次位于由第III族氮化物半导体形成的p型层上的透明电极、绝缘膜和p电极，所述透明电极经由设置在所述绝缘膜中的孔电连接到所述p电极，其中所述p电极包括：电连接到所述器件的外部的连接部、以布线图案从所述连接部延伸的布线部、以及连接到所述布线部并且经由所述孔与所述透明电极接触的接触部；在所述p型层与所述透明电极之间形成有电流阻挡层，所述电流阻挡层由折射率小于所述p型层的折射率的绝缘并且透明的材料制成；所述电流阻挡层设置在俯视图中包括所述接触部的正交投影的区域中，而没有设置在与所述布线部重叠的区域中；以及所述电流阻挡层的宽度比所述接触部的宽度大0μm至9μm。
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