[发明专利]一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置

摘要

本发明涉及单晶炉氩气系统，旨在提供一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置。该种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置包括氩气净化圈和顶面法兰，氩气净化圈之间用螺钉和圆柱销依次连接，顶面法兰安装在单晶炉的腔体顶部，上端的氩气净化圈的一端与顶面法兰连接；顶面法兰的上端开有通气孔，用于作为氩气的进入通道，每个氩气净化圈上都开有通气槽和通气孔，分别作为氩气净化圈上氩气的进口和出口。通过本发明的使用，能使进入炉体的氩气气流更加稳定均匀，保证炉体内气压及温度的稳定性，从而提高硅单晶棒的成晶率和成晶品质。

主权项

一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置，其特征在于，包括氩气净化圈和顶面法兰，氩气净化圈设有四个，且氩气净化圈之间用螺钉和圆柱销依次连接；顶面法兰安装在单晶炉的腔体顶部，上端的氩气净化圈的一端与顶面法兰连接；顶面法兰和氩气净化圈的中心都设有一个通孔，用于作为单晶炉上轴系统的升降及旋转通道；顶面法兰的上端开有通气孔，用于作为氩气的进入通道；每个氩气净化圈上都开有通气槽和通气孔，通气孔均布在通气槽上，通气槽和通气孔分别作为氩气净化圈上氩气的进口和出口；四个氩气净化圈从上至下依次分别为氩气净化圈A、氩气净化圈B、氩气净化圈C、氩气净化圈D，且顶面法兰、氩气净化圈A、氩气净化圈B、氩气净化圈C、氩气净化圈D上的通流面积依次变大；设定顶面法兰的通气孔、氩气净化圈A的通气孔直径、氩气净化圈B的通气孔直径、氩气净化圈C的通气孔直径、氩气净化圈D的通气孔直径分别为D0、D1、D2、D3、D4，满足大于Dn，其中n是0、1、2、3、4；且氩气净化圈A、氩气净化圈B、氩气净化圈C、氩气净化圈D上的通气孔数量分别为2个、4个、8个、16个。