[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410412656.4 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105405881A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;秦长亮;王桂磊;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：衬底上沿第一方向延伸的多个鳍片，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片的栅极，位于栅极两侧的鳍片上的源漏区以及栅极侧墙，其中，鳍片由缓冲层以及高迁移率材料构成的沟道层构成，缓冲层包围了沟道层的侧面和底面。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过移除假栅极堆叠同时增加刻蚀深度和横向宽度，能在所需的鳍片结构上自对准的局域地形成高载流子迁移率的沟道，从而有效提高鳍片沟道区的载流子迁移率，进而有效提高器件性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：刻蚀衬底，在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在多个鳍片之间填充绝缘材料形成浅沟槽隔离；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙和源漏区；去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；通过栅极沟槽，进一步刻蚀鳍片，在鳍片和/或衬底中形成沟道区沟槽，其中沟道区沟槽沿第一方向的宽度大于等于栅极侧墙的间距；在沟道区沟槽中依次外延生长形成缓冲层和沟道层，直至与栅极沟槽底部齐平；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。
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