[发明专利]发光二极管的外延片及其制作方法

摘要

本申请公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法。发光二极管的外延片包括低温缓冲层GaN；UGaN层，位于所述低温缓冲层GaN之上；掺杂Si的N型GaN层，位于所述UGaN层之上；有源层，位于所述掺杂Si的N型GaN层之上；低温P层，位于所述有源层之上；电子阻挡层，位于所述低温P型GaN层之上；高温P型GaN层，位于所述电子阻挡层之上；以及P型接触层，位于所述高温P型GaN层之上；其中，所述UGaN层包括本征GaN层和位于所述本征GaN层之上的掺杂Si的掺杂UGaN层，所述掺杂UGaN层分为至少一段，每段的掺杂浓度不同。本申请的发光二极管的外延片及其制作方法在生长UGaN层时，采用部分掺杂Si且掺杂浓度不同的方式使得UGaN层能提供更多的电子，进而降低了压降、增强了耐大电流能力。

主权项

一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括：低温缓冲层GaN；UGaN层，位于所述低温缓冲层GaN之上；掺杂Si的N型GaN层，位于所述UGaN层之上；有源层，位于所述掺杂Si的N型GaN层之上，包括InxGa(1‑x)N层和GaN层，其中x＝0.20～0.22；低温P型GaN层，位于所述有源层之上；电子阻挡层，位于所述低温P型GaN层之上；高温P型GaN层，位于所述电子阻挡层之上；以及P型接触层，位于所述高温P型GaN层之上；其中，所述UGaN层包括本征GaN层和位于所述本征GaN层之上的掺杂Si的掺杂UGaN层，所述掺杂UGaN层分为至少2段，所述掺杂UGaN层中的段的掺杂浓度不同；所述掺杂浓度是递增的，越靠近所述掺杂Si的N型GaN层的掺杂UGaN段的所述掺杂浓度越高。