[发明专利]晶圆缺陷扫描方法在审
| 申请号： | 201410414597.4 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104157589A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 何理;许向辉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆缺陷扫描方法，其包括提供一包括多个重复的芯片单元的晶圆；定义每一芯片单元的存储区域和非存储区域；将各芯片单元中的存储区域划分为第一扫描区，各非存储区域划分为第二扫描区域；执行两次缺陷扫描，以第一光强的入射光扫描第一扫描区以获得第一扫描区的缺陷，以小于该第一光强的第二光强的入射光扫描第二扫描区以获得第二扫描区的缺陷；将第一扫描区的缺陷和第二扫描区的缺陷合并。本发明能够提高存储区域的缺陷捕获能力。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 扫描 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括多个重复的芯片单元；定义每一所述芯片单元的存储区域和非存储区域；将各所述芯片单元中的所述存储区域划分为第一扫描区，各所述非存储区域划分为第二扫描区域；执行两次缺陷扫描，以第一光强的入射光扫描所述第一扫描区以获得所述第一扫描区的缺陷，以小于该第一光强的第二光强的入射光扫描所述第二扫描区以获得所述第二扫描区的缺陷；以及将所述第一扫描区的缺陷和所述第二扫描区的缺陷合并。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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