[发明专利]等离子体损伤测试结构及其制作方法有效
申请号: | 201410414962.1 | 申请日: | 2014-08-21 |
公开(公告)号: | CN105355577B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 董燕;张冠;孙艳辉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种等离子体损伤测试结构,该等离子体损伤测试结构包括:晶体管,设置于衬底中;互连层,包括第一顶层金属层和第一底层金属层,第一底层金属层与晶体管中的栅极之间形成电连接;测试互连层,包括第二顶层金属层和第二底层金属层,测试互连层设置于衬底上;焊盘结构,包括具有通孔的介质层和设置于通孔中的金属焊盘,焊盘结构设置于第二顶层金属层上,该等离子体损伤测试结构还包括:金属连接层,金属连接层的第一端设置于第一顶层金属层的表面上,金属连接层与测试互连层之间形成电连接。制作该等离子体损伤测试结构的过程中产生的等离子损伤得以减少,从而减少了该等离子体损伤测试结构中的等离子损伤。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 损伤 测试 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体损伤测试结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括以下步骤:在衬底中形成晶体管;在所述晶体管上形成包括第一顶层金属层和第一底层金属层的互连层,并在所述衬底上形成包括第二顶层金属层和第二底层金属层的测试互连层,所述第一底层金属层与所述晶体管中的栅极之间形成电连接;在所述第二顶层金属层上形成具有通孔的介质层;在所述通孔中形成金属焊盘,并形成第一端位于所述第一顶层金属层的表面上的金属连接层,所述金属连接层与所述测试互连层之间形成电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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