[发明专利]电子束缺陷扫描装置及方法有效

专利信息
申请号: 201410414994.1 申请日: 2014-08-21
公开(公告)号: CN104157590B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 何理;许向辉 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,陈慧弘
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种电子束缺陷扫描装置,用于在抗反射层制备之前对晶圆进行电子束缺陷扫描。该装置包括电子束缺陷扫描机台;用于承载经电子束缺陷扫描后的晶圆导电基座,该导电基座接地以消除该晶圆上残留的负电荷;用于将晶圆从晶圆传送盒中传递至电子束缺陷扫描机台、在电子束缺陷扫描后将晶圆从该电子束缺陷扫描机台传输至导电基座上、在晶圆上残留的负电荷消除后将晶圆传输回晶圆传送盒中的传输机构;以及控制该传输机构的动作的控制机构。本发明能够消除电子束缺陷扫描残留在晶圆表面的负电荷对抗反射层的损伤。
搜索关键词: 电子束 缺陷 扫描 装置 方法
【主权项】:
一种电子束缺陷扫描装置,其特征在于,包括:电子束缺陷扫描机台,用于在抗反射层制备工艺之前对晶圆进行电子束缺陷扫描;导电基座,用于承载经电子束缺陷扫描后的晶圆,所述导电基座接地以消除经电子束缺陷扫描后的该晶圆上残留的负电荷,用于避免在所述抗反射层制备工艺中负电荷对抗反射层的损伤;传输机构,用于将所述晶圆从晶圆传送盒中传递至所述电子束缺陷扫描机台、在电子束缺陷扫描后将所述晶圆从该电子束缺陷扫描机台传输至所述导电基座上以及在所述晶圆上残留的负电荷消除后将所述晶圆传输回所述晶圆传送盒中;以及控制机构,用于控制该传输机构的动作。
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