[发明专利]电子束缺陷扫描装置及方法有效
申请号: | 201410414994.1 | 申请日: | 2014-08-21 |
公开(公告)号: | CN104157590B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 何理;许向辉 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种电子束缺陷扫描装置,用于在抗反射层制备之前对晶圆进行电子束缺陷扫描。该装置包括电子束缺陷扫描机台;用于承载经电子束缺陷扫描后的晶圆导电基座,该导电基座接地以消除该晶圆上残留的负电荷;用于将晶圆从晶圆传送盒中传递至电子束缺陷扫描机台、在电子束缺陷扫描后将晶圆从该电子束缺陷扫描机台传输至导电基座上、在晶圆上残留的负电荷消除后将晶圆传输回晶圆传送盒中的传输机构;以及控制该传输机构的动作的控制机构。本发明能够消除电子束缺陷扫描残留在晶圆表面的负电荷对抗反射层的损伤。 | ||
搜索关键词: | 电子束 缺陷 扫描 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种电子束缺陷扫描装置,其特征在于,包括:电子束缺陷扫描机台,用于在抗反射层制备工艺之前对晶圆进行电子束缺陷扫描;导电基座,用于承载经电子束缺陷扫描后的晶圆,所述导电基座接地以消除经电子束缺陷扫描后的该晶圆上残留的负电荷,用于避免在所述抗反射层制备工艺中负电荷对抗反射层的损伤;传输机构,用于将所述晶圆从晶圆传送盒中传递至所述电子束缺陷扫描机台、在电子束缺陷扫描后将所述晶圆从该电子束缺陷扫描机台传输至所述导电基座上以及在所述晶圆上残留的负电荷消除后将所述晶圆传输回所述晶圆传送盒中;以及控制机构,用于控制该传输机构的动作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造