[发明专利]一种近零涡流损耗互连线及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410415806.7 申请日: 2014-08-21
公开(公告)号: CN104183570B 公开(公告)日: 2017-01-25
发明(设计)人: 白飞明;王艺程;钟志勇;张怀武 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/768
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 代理人: 李玉兴
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种近零涡流损耗互连线及其制备方法,属于射频器件技术领域。包括衬底基片和衬底基片表面的互连线;互连线是由金属铜薄膜层和铁磁金属薄膜层相间层叠而形成的周期性复合超晶格薄膜结构;每层金属铜薄膜层的厚度为50~1000nm,每层铁磁金属薄膜层厚度为20~500nm;铁磁金属为磁性金属与铜形成的合金;周期性复合超晶格薄膜结构的周期数为5~200。采用金属铜作为互连线的原料,成本低廉,采用超晶格薄膜结构,结构简单,易于实现,降低晶格失配导致的应力,电阻率低,可以选择频段实现近零有效磁导率,所以厚度可以在10~100μm无明显的趋肤效应;采用金属电化学交替沉积法多周期交替电镀制备该互连线,降低制备工艺难度及成本。本发明适用于射频器件。
搜索关键词: 一种 涡流 损耗 互连 及其 制备 方法
【主权项】:
一种近零涡流损耗互连线,包括衬底基片(3)和衬底基片(3)表面的互连线,其特征在于,所述互连线是由金属铜薄膜层(1)和铁磁金属薄膜层(2)相间层叠而形成的周期性复合超晶格薄膜结构;其中,每层金属铜薄膜层(1)的厚度为50~1000nm,每层铁磁金属薄膜层(2)厚度为20~500nm;所述铁磁金属为磁性金属与铜形成的合金;所述周期性复合超晶格薄膜结构的周期数为5~200。
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