[发明专利]一种缺陷分析方法

摘要

本发明涉及半导体缺陷分析技术领域，尤其涉及一种缺陷分析方法，通过在去除待测半导体结构的金属结构之后，于阻挡层上沉积一层与该阻挡层的材质原子序数相差较大的衬度对比层，之后再进行常规的透射电镜样品制备，并采用透射电镜对透射电镜样品进行观察以对阻挡层进行缺陷分析，由于阻挡层上覆盖有与该阻挡层的材质原子序数相差较大的衬度对比层，从而在透射电镜中能够清晰的观察阻挡层的缺陷，进而准确的进行缺陷分析；因此本发明这种主动提高透射电镜图像衬度分析微小缺陷的方法，可以进一步的扩展微小缺陷失效分析的能力，进而为制程工艺提供更好的技术支持。

主权项

一种缺陷分析方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，提供一设置有金属结构的待测半导体结构，且所述金属结构与一阻挡层接触；步骤S2，去除所述金属结构，以暴露所述阻挡层的表面；步骤S3，沉积一衬度对比层覆盖所述阻挡层暴露的表面后，继续透射电镜样品的制备工艺；步骤S4，采用透射电镜对所述透射电镜样品进行观察以对所述阻挡层进行缺陷分析；其中，所述阻挡层与所述衬度对比层在所述透射电镜下形成的透射电镜图像的对比度大于所述阻挡层与所述金属结构在所述透射电镜下形成的透射电镜图像的对比度。