[发明专利]鳍状结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410416418.0 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN105374871B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 黄南元;刘安淇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种鳍状结构及其形成方法，其中该鳍状结构包含一鳍片以及一突状物。该鳍片及该突状物均是位于一基底上，该突状物具有不规则形状，且该突状物的高度小于该鳍片的高度。由此，本发明的鳍状结构及其形成方法可达到避免鳍片倒塌及过度蚀刻等目的。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍状结构，其特征在于，该鳍状结构包含:鳍片，位于一基底上；以及突状物，位于该基底上，其中该突状物具有不规则形状，且该突状物的高度小于该鳍片的高度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410416418.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有多个位错平面的MOSFET
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
