[发明专利]有机发光装置在审
申请号: | 201410418887.6 | 申请日: | 2014-08-22 |
公开(公告)号: | CN104425738A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 金世勋;金美更;金润姬;金东铉;赵桓熙;秋昌雄;权淳基;李允智 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司;庆尚大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;C07F7/08;C07F7/10;C07D209/80;C07D209/86;C07D219/02;C07D219/04;C07D215/48;C07D215/12;C07D215/06;C07D209/08 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种有机发光装置包括:第一电极;第二电极,与第一电极相对;以及有机层,位于第一电极和第二电极之间,有机层包括发射层,发射层包括由下面的式1表示的至少一种硅烷类化合物和由下面的式20表示的至少一种蒽类化合物。其中,在上面的式1和式20中,进一步定义了R1至R6、R11至R16、L1至L4、Ar1、Ar2、a、b、c、d、i、j、l、k和n。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 | ||
【主权项】:
一种有机发光装置,其特征在于,所述有机发光装置包括:第一电极;第二电极,与第一电极相对;以及有机层,位于第一电极和第二电极之间,有机层包括发射层,发射层包括由下面的式1表示的至少一种硅烷类化合物和由下面的式20表示的至少一种蒽类化合物:其中,在上面的式1和式20中,n为0或1;R1至R6均独立地选自于取代的或未取代的C1‑C60烷基、取代的或未取代的3元至10元非缩合环基、以及其中的至少两个环彼此稠合的取代的或未取代的缩合环基,其中,当n为0时,R1至R3中的至少一个为其中的至少两个环彼此稠合的取代的或未取代的缩合环基,当n为1时,R1至R6中的至少一个为其中的至少两个环彼此稠合的取代的或未取代的缩合环基;L1至L4均独立地选自于取代的或未取代的C3‑C10亚环烷基、取代的或未取代的C3‑C10亚环烯基、取代的或未取代的C3‑C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60亚芳基、以及取代的或未取代的C2‑C60亚杂芳基;c和d均独立地为1至3的整数;R11至R16均独立地选自于氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代的或未取代的C1‑C60烷基、取代的或未取代的C2‑C60烯基、取代的或未取代的C2‑C60炔基、取代的或未取代的C1‑C60烷氧基、取代的或未取代的C3‑C10环烷基、取代的或未取代的C3‑C10环烯基、取代的或未取代的C3‑C10杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60芳基、取代的或未取代的C6‑C60芳氧基、取代的或未取代的C6‑C60芳硫基、取代的或未取代的C2‑C60杂芳基、‑N(Q1)(Q2)和‑Si(Q3)(Q4)(Q5),其中,Q1至Q5均独立地选自于氢原子、C1‑C10烷基、C6‑C20芳基和C2‑C20杂芳基;a和b均独立地为1至4的整数;l和k均独立地为1至3的整数;i和j均独立地为0至3的整数;以及Ar1和Ar2均独立地为由下面的式7A至式7F表示的基团中的一个:其中,在上面的式7A至式7F中,Z31至Z44均独立地选自于氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代的或未取代的C1‑C60烷基、取代的或未取代的C2‑C60烯基、取代的或未取代的C2‑C60炔基、取代的或未取代的C1‑C60烷氧基、取代的或未取代的C3‑C10环烷基、取代的或未取代的C3‑C10环烯基、取代的或未取代的C3‑C10杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60芳基、取代的或未取代的C6‑C60芳氧基、取代的或未取代的C6‑C60芳硫基、取代的或未取代的C2‑C60杂芳基、‑N(Q51)(Q52)和‑Si(Q53)(Q54)(Q55),其中,Q51至Q55均独立地选自于氢原子、C1‑C10烷基、C6‑C20芳基和C2‑C20杂芳基;w1是1至4的整数;w2是1至5的整数;以及*指示与L3或L4的结合位,或当i或j为0时,*指示与蒽核心的结合位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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