[发明专利]一种钙钛矿结构的太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410419148.9 申请日: 2014-08-25
公开(公告)号: CN104183697B 公开(公告)日: 2017-01-11
发明(设计)人: 袁宁一;吕明航;丁建宁;董旭 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司32200 代理人: 楼高潮
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及光伏电池,特别是涉及一种钙钛矿结构的太阳能电池及其制备方法。首先是在FTO导电玻璃上先沉积一层氧化钛或氧化锌n型致密层,然后再沉积氧化铝阻挡层,接着制备一层杂化钙钛矿结构CH3NH3PbI3,继续沉积氧化铝绝缘层,再然后沉积有机P型层,最后沉积金属电极层。其中,阻挡层和绝缘层包裹着钙钛矿CH3NH3PbI3形成三明治保护结构,有效提高钙钛矿电池的稳定性。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 结构 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钙钛矿结构的太阳能电池的制备方法,所述太阳能电池从下至上由FTO导电玻璃层、n型致密层、阻挡层、杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层、绝缘层、P型层和金属电极组成,阻挡层和绝缘层包裹着杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3形成三明治保护结构,其特征在于步骤如下:(1)n型致密层的制备在镀了掺氟氧化锡的玻璃(FTO)上,用原子层沉积(ALD)技术生长20‑30nm厚的致密的TiO2或ZnO层作为n型层;(2)阻挡层的制备在n型致密层上利用ALD技术在150‑250℃生长1‑5nm厚的均匀致密的超薄Al2O3薄膜;(3)溶液法制备杂化钙钛矿层在手套箱中,将配制好的钙钛矿前驱体溶液旋涂在阻挡层上,然后在加热板上退火处理;(4)绝缘层的制备钙钛矿薄膜冷却到室温下后,通过ALD技术在50‑100℃低温下利用臭氧沉积均匀致密的超薄Al2O3薄膜,层厚为1‑5nm;利用臭氧和三甲基铝作为源的低温生长工艺为:腔室反应温度60‑80℃,通三甲基铝源时间400‑800ms,氮气清洗10‑30s,通臭氧400‑800ms,氮气清洗10‑30s,重复上述过程15‑70次;(5)P型层的制备在手套箱中,将事先配制好的spiro‑OMeTAD溶液旋涂到绝缘层上,控制旋速与spiro‑OMeTAD溶液的量,控制厚度在100nm,70℃环境烘20min后,过夜放置;(6)金属电极制备将准备好的基底迅速放入真空蒸发镀膜仪器中,真空度达1×10‑3Pa,通过控制蒸发金属的量来控制蒸发银的厚度为100‑130nm。
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