[发明专利]一种钙钛矿结构的太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201410419148.9 | 申请日: | 2014-08-25 |
公开(公告)号: | CN104183697B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 袁宁一;吕明航;丁建宁;董旭 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及光伏电池,特别是涉及一种钙钛矿结构的太阳能电池及其制备方法。首先是在FTO导电玻璃上先沉积一层氧化钛或氧化锌n型致密层,然后再沉积氧化铝阻挡层,接着制备一层杂化钙钛矿结构CH3NH3PbI3,继续沉积氧化铝绝缘层,再然后沉积有机P型层,最后沉积金属电极层。其中,阻挡层和绝缘层包裹着钙钛矿CH3NH3PbI3形成三明治保护结构,有效提高钙钛矿电池的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 结构 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钙钛矿结构的太阳能电池的制备方法,所述太阳能电池从下至上由FTO导电玻璃层、n型致密层、阻挡层、杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层、绝缘层、P型层和金属电极组成,阻挡层和绝缘层包裹着杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3形成三明治保护结构,其特征在于步骤如下:(1)n型致密层的制备在镀了掺氟氧化锡的玻璃(FTO)上,用原子层沉积(ALD)技术生长20‑30nm厚的致密的TiO2或ZnO层作为n型层;(2)阻挡层的制备在n型致密层上利用ALD技术在150‑250℃生长1‑5nm厚的均匀致密的超薄Al2O3薄膜;(3)溶液法制备杂化钙钛矿层在手套箱中,将配制好的钙钛矿前驱体溶液旋涂在阻挡层上,然后在加热板上退火处理;(4)绝缘层的制备钙钛矿薄膜冷却到室温下后,通过ALD技术在50‑100℃低温下利用臭氧沉积均匀致密的超薄Al2O3薄膜,层厚为1‑5nm;利用臭氧和三甲基铝作为源的低温生长工艺为:腔室反应温度60‑80℃,通三甲基铝源时间400‑800ms,氮气清洗10‑30s,通臭氧400‑800ms,氮气清洗10‑30s,重复上述过程15‑70次;(5)P型层的制备在手套箱中,将事先配制好的spiro‑OMeTAD溶液旋涂到绝缘层上,控制旋速与spiro‑OMeTAD溶液的量,控制厚度在100nm,70℃环境烘20min后,过夜放置;(6)金属电极制备将准备好的基底迅速放入真空蒸发镀膜仪器中,真空度达1×10‑3Pa,通过控制蒸发金属的量来控制蒸发银的厚度为100‑130nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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