[发明专利]电子源、X射线源、使用了该X射线源的设备有效

专利信息
申请号: 201410419359.2 申请日: 2014-08-25
公开(公告)号: CN105374654B 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 唐华平;陈志强;李元景;王永刚;秦占峰 申请(专利权)人: 同方威视技术股份有限公司
主分类号: H01J35/02 分类号: H01J35/02;H01J35/08;H01J35/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;陈岚
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种电子源和使用了该电子源的X射线源。本发明的电子源具有至少两个电子发射区域,每个所述电子发射区域包含多个微型电子发射单元,所述微型电子发射单元包括:基极层、位于所述基极层上的绝缘层、位于所述绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的开口、以及固定于所述基极层上与所述开口位置对应的电子发射体,同一个所述电子发射区域内的各所述微型电子发射单元之间具有电连接,同时发射电子或者同时不发射电子,不同的所述电子发射区域之间具有电隔离。
搜索关键词: 电子 射线 使用 设备
【主权项】:
1.一种电子源,其特征在于,具有至少两个电子发射区域,每个所述电子发射区域包含多个微型电子发射单元,所述微型电子发射单元包括:基极层、位于所述基极层上的绝缘层、位于所述绝缘层上的栅极层、贯穿所述栅极层与所述绝缘层并且到达所述基极层的开口、以及固定于所述基极层上与所述开口位置对应的电子发射体,同一个所述电子发射区域内的各所述微型电子发射单元之间具有电连接,同时发射电子或者同时不发射电子,不同的所述电子发射区域之间具有电隔离,所述电子发射体含有纳米材料而构成,所述微型电子发射单元在阵列排列方向上所占用的空间尺寸为微米级,所述开口在所述绝缘层中的尺寸比在所述栅极层中的尺寸大,所述开口的尺寸小于所述绝缘层的厚度,所述电子发射体的高度小于所述绝缘层的厚度的二分之一。
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