[发明专利]半导体模块及其通过扩展嵌入技术的制造方法在审
| 申请号： | 201410419670.7 | 申请日： | 2014-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104425470A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | J·赫格尔;E·富尔古特;G·贝尔;O·霍尔菲尔德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H01L23/31;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 半导体模块包括载件，布置在载件上的多个半导体晶体管芯片，布置在载件上的多个半导体二极管芯片，布置在半导体晶体管芯片和半导体二极管芯片之上的封装层，以及布置在封装层之上的金属化层。金属化层包括在半导体晶体管芯片和半导体二极管芯片的选定一个之间形成电连接的多个金属区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 及其 通过 扩展 嵌入 技术 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体模块，包括：载件；多个半导体芯片，布置在所述载件上；封装层，布置在所述半导体芯片之上；以及金属化层，布置在所述封装层之上，所述金属化层包括形成在所述半导体芯片的选定芯片之间的电连接的多个金属区域。
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