[发明专利]金属栅极结构与其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410421839.2 申请日: 2014-08-25
公开(公告)号: CN105244370B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 林世雄;陈俊隆;廖琨垣;张峰溢;童宇诚 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L21/28
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种金属栅极结构与其制作方法,其金属栅极结构包含一基底,基底划分为一密集区域和一宽疏区域,一第一金属栅极结构设置于密集区域,第一金属栅极结构包含一第一沟槽设于密集区域,一第一金属层设于第一沟槽中,一第二金属栅极结构设置于宽疏区域,第二金属栅极结构包含一第二沟槽设于宽疏区域中以及一第二金属层设于第二沟槽中,其中第二金属层的高度较第一金属层的高度大。
搜索关键词: 金属 栅极 结构 与其 制作方法
【主权项】:
一种金属栅极结构的制作方法,该制作方法应用于一金属栅极结构的半成品,该半成品包含一基底,该基底包含一密集区域和一宽疏区域,一介电层覆盖该基底的该密集区域和该宽疏区域,一第一沟槽设于该密集区域的该介电层中,一第一栅极介电层、一第一材料层和一第一金属层设于该第一沟槽中,该第一栅极介电层接触该基底,该第一材料层位于该第一金属层和该第一栅极介电层之间,其中该第一材料层呈U型,并且具有一第一垂直侧边,该金属栅极结构的制作工艺包含以下步骤:步骤(a):移除部分的该第一材料层的该第一垂直侧边;步骤(b):在移除部分的该第一垂直侧边之后,移除部分的该第一金属层使得该第一金属层的一上表面和该第一垂直侧边的一上表面切齐;步骤(d):移除部分的该第一栅极介电层,使该第一栅极介电层的一上表面和该第一垂直侧边的该上表面切齐。
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