[发明专利]发光二极管外延生长方法有效
| 申请号： | 201410421863.6 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN104157750B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 焦建军;黄炳源;周德保;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管外延生长方法。该方法包括在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层，非掺杂层采用退火过程与调节反应室内的生长环境相交替的方式进行生长，其中，生长环境包括生长温度和生长速率。通过采用退火过程与调节反应室内非掺杂层的生长温度和生长速率交替的生长方式生长非掺杂层，可以有效地改善外延在高温下的翘曲度，进而提高外延波长分布的均匀性和LED的质量。进一步的，还可以有效降低测试和分选成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延生长方法，其特征在于，包括：在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层，所述非掺杂层采用退火过程与调节反应室内的生长环境相交替的方式进行生长，其中，所述生长环境包括生长温度和生长速率；所述非掺杂层采用退火过程与调节反应室内的生长环境相交替的方式进行生长，包括：步骤a：在第一生长温度与第一生长速率下生长第一厚度的所述非掺杂层，所述第一生长速率为与所述第一生长温度对应的生长速率；步骤b：采用退火方式将所述第一生长温度降低至第二生长温度；步骤c：在所述第二生长温度与第二生长速率下生长第二厚度的所述非掺杂层，所述第二生长速率为与所述第二生长温度对应的生长速率；其中，若生长的第二厚度的所述非掺杂层的翘曲度没有达到预设值，则重新确定第三生长温度、所述第三生长温度对应的第三生长速率、第四生长温度和所述第四生长温度对应的第四生长速率，并用所述第三生长温度替换所述第一生长温度，用所述第四生长温度替换所述第二生长温度，用所述第三生长速率替换所述第一生长速率，用所述第四生长速率替换所述第二生长速率，重新执行步骤a‑c用于生成第二厚度的所述非掺杂层的过程。
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