[发明专利]快速制备3C-SiC外延膜方法在审
| 申请号： | 201410423183.8 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104152986A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 涂溶;孙清云;章嵩;张联盟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B29/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速制备3C-SiC外延膜方法，其特征是将激光引入到传统CVD方法制备碳化硅外延膜即SiC薄膜，通过控制激光的输出功率，修饰基板表面形成纳米级微台阶，为薄膜形成初期提供大量成核点；同时激光也为薄膜的生长提供有效的光子活化和加热方式，使SiC薄膜的生长速度大幅度提高；通过控制激光光斑大小得到1-4英寸的SiC薄膜制品。本发明由于利用激光的光、热效应促使前驱体反应，使前驱体利用率和反应速率大幅度提高，在制备大尺寸3C-SiC薄膜的同时又保证了薄膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 制备 sic 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种快速制备3C‑SiC外延膜方法，其特征是将激光引入到传统CVD方法制备碳化硅外延膜即SiC薄膜，通过控制激光的输出功率，修饰基板表面形成纳米级微台阶，为薄膜形成初期提供大量成核点；同时激光也为薄膜的生长提供有效的光子活化和加热方式，使SiC薄膜的生长速度大幅度提高；通过控制激光光斑大小得到1‑4英寸的SiC薄膜制品。
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