[发明专利]一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410423967.0 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104183501A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王金科;刘丹军 | 申请（专利权）人： | 湖南普照爱伯乐平板显示器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 410205 湖南省长*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管，通过在驱动基板上分别形成扫描线路层、绝缘层、数据线路层，而在数据线路层与绝缘层之间的氧化物半导体层，在与栅电极图像竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机材料采用涂覆、曝光、显影工艺制作图形，形成蚀刻阻挡层，在蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作源电极、漏电极、数据线路。本方案通过采用有机材料制作蚀刻阻挡层，工艺简单，制作过程方便，解决了现有技术中采用镀膜的方式形成蚀刻阻挡层带来的工艺复杂，不易实现的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 系统 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：选取驱动基板，在所述驱动基板上制作栅电极图案、扫描线，组成扫描线路层；在所述扫描线路层上方制作绝缘层；在所述绝缘层上方形成氧化物半导体层，在与所述栅电极图案竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机材料采用黄光工艺制作图形，形成蚀刻阻挡层；在所述蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作源电极、漏电极、数据线路，形成数据线路层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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