[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201410424185.9 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104218133B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张威;林凡;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管芯片包括衬底、依次覆盖在衬底上的N型层、多量子阱和P型层，N型层、多量子阱和P型层上设有不连续的N型刻蚀区域，N型刻蚀区域包括刻蚀平面和台阶，刻蚀平面处于N型层上，台阶为依次经过N型层、多量子阱和P型层的斜面；发光二极管芯片还包括电流阻挡层、N电极和P电极；电流阻挡层包括第一个覆盖部分和第二个覆盖部分，电流阻挡层的第一个覆盖部分覆盖在多个不连续的N型刻蚀区域间未刻蚀的P型层和台阶上，电流阻挡层的第二个覆盖部分覆盖在P型层上一连续未刻蚀的区域；N电极覆盖电流阻挡层的第一个覆盖部分以及不连续的N型刻蚀区域的刻蚀平面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括：衬底、依次覆盖在所述衬底上的N型层、多量子阱和P型层，其特征在于，所述N型层、多量子阱和P型层上设有多个不连续的N型刻蚀区域，每个所述N型刻蚀区域包括刻蚀平面和台阶，所述刻蚀平面处于所述N型层上，所述台阶为依次经过所述N型层、所述多量子阱和所述P型层的斜面；所述发光二极管芯片还包括：电流阻挡层、N电极和P电极；所述电流阻挡层包括第一个覆盖部分和第二个覆盖部分，所述电流阻挡层的第一个覆盖部分覆盖在所述多个不连续的N型刻蚀区域间未刻蚀的P型层和所述台阶上，所述电流阻挡层的第二个覆盖部分覆盖在所述P型层上一连续未刻蚀的区域上；所述N电极覆盖所述电流阻挡层的第一个覆盖部分以及所述多个不连续的N型刻蚀区域的刻蚀平面；所述P电极包括覆盖在所述P型层的表面的第一部分和覆盖在所述电流阻挡层的第二个覆盖部分上的第二部分，所述第一部分和所述第二部分连接。
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