[发明专利]一种高阶温度补偿基准源

摘要

本发明涉及模拟集成电路技术领域，具体涉及一种高阶温度补偿基准源。本发明的基准源包括正温系数电流模块、负温系数电流模块和基准电压产生模块；正温系数电流模块和负温系数电流模块的输入端接电源VIN；正温系数电流模块的输出端接基准电压产生模块的第一输入端，负温系数电流模块的输出端接基准电压产生模块的第二输入端，基准电压产生模块的输出端输出基准电压。本发明的有益效果为，输出基准源相比传统的带隙基准源具有更高的精度；且相比传统的高阶补偿带隙基准源，本发明实现的高精度基准源的电路结构更加简单，受工艺的影响更小。本发明尤其适用于带隙基准电路。

主权项

一种高阶温度补偿基准源，包括正温系数电流模块、负温系数电流模块和基准电压产生模块；正温系数电流模块和负温系数电流模块的输入端接电源VIN；正温系数电流模块的输出端接基准电压产生模块的第一输入端，负温系数电流模块的输出端接基准电压产生模块的第二输入端，基准电压产生模块的输出端输出基准电压；其特征在于，所述正温系数电流模块由PMOS管MP1、MP2、MO3，NMOS管MN1、MN2、MN3，电阻R1，电容C2构成；其中，MP1、MP2、MP3的栅极互连；MP1的源极接电源VIN，其栅极和漏极互连，其漏极接MN1的漏极；MN1的栅极通过电容C2后接地，其源极接地；MP2的源极接电源VIN，其漏极接MN2的漏极；MP2漏极与MN2漏极的连接点接MN1栅极与电容C2的连接点；MN2的栅极接MN3的栅极，其源极接地；MN3的源极通过电阻R1后接地，其栅极与漏极互连，其漏极接MP3的漏极；MP3的源极接电源VIN；MP1漏极与MN1漏极的连接点接MP1栅极、MP2栅极、MP3栅极的连接点作为正温系数电流模块的输出端输出第一偏置电压；所述负温系数电流模块由PMOS管MP6、MP7，三极管Q1、Q2、Q3，电阻R2构成；其中，MP6的源极接电源VIN，其栅极与漏极互连，其漏极接Q1的集电极；Q1的基极接Q2的基极，其发射极通过电阻R2接地；Q2的基极和集电极互连，其集电极接MP7的漏极，其发射极接Q3的集电极；Q3的基极和集电极互连，其发射极接地；MP7的栅极接第一偏置电压，其源极接电源VIN；MP6漏极与Q1集电极的连接点接MP6栅极后作为负温系数电流模块的输出端输出第二偏置电压；所述基准电压产生模块由PMOS管MP4、MP5，电阻R3构成；其中，MP4的源极接电源VIN，其栅极接第一偏置电压，其漏极通过电阻R3接地；MP5的源极接电源VIN，其栅极接第二偏置电压，其漏极通过电阻R3接地；MP4漏极、MP5漏极与电阻R3的连接点作为基准电压产生模块的输出端输出基准电压。