[发明专利]用于半导体晶片的退火模块有效
申请号: | 201410424658.5 | 申请日: | 2014-08-26 |
公开(公告)号: | CN104451888B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 文森特·斯特凡·弗朗西斯凯特;格雷戈里·J·威尔逊;凯尔·M·汉森;保罗·沃思;罗伯特·B·穆尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;C30B33/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于退火半导体材料晶片和类似基板的退火模块降低颗粒污染和氧气进入,同时提供包括对于500℃的工艺的均匀加热。退火模块可包括形成在金属主体中的工艺腔室,所述金属主体具有内部冷却管线。热板具有基座,所述基座被支撑在主体上的热扼流器上。在热板之上的盖中的气体分布器将气体在晶片之上均匀地流动。传送机构移动环箍以将晶片在热板和冷板之间移位。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 晶片 退火 模块 | ||
【主权项】:
1.一种退火设备,所述退火设备包括:金属主体;盖,所述盖在所述金属主体上,其中工艺腔室在所述金属主体和所述盖之间形成;一或多个冷却管线,所述一或多个冷却管线在所述金属主体中或所述金属主体上;热板,所述热板具有在所述主体上的热扼流器上支撑的基座;气体分布器,所述气体分布器在所述热板之上的所述盖中;冷板,所述冷板在所述金属主体上;装载槽,所述装载槽邻近于所述冷板在所述金属主体中;传送机构,所述传送机构具有环箍,所述环箍可移动到所述冷板之上的第一位置和移动到所述热板之上的第二位置,其中所述传送机构还具有用于上升和下降所述环箍的升降机构,其中所述升降机构包括包围在外壳中的滚珠花键和附接于所述环箍的花键螺母;空间交换通道,所述空间交换通道连接所述外壳中的上部腔室和下部腔室;和至少一个电子组件,所述至少一个电子组件附接于所述金属主体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造