[发明专利]金属掺杂非晶碳压阻传感元件、其制备方法与调控方法有效
| 申请号： | 201410424861.2 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104195516B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 汪爱英;郭鹏;李润伟;张栋;檀洪伟;柯培玲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/04;C23C14/54;G01D5/16 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 单英 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属掺杂非晶碳压阻传感元件。该压阻传感元件由衬底、金属掺杂非晶碳薄膜、金属电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于衬底表面，金属电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面。与现有的压阻传感元件相比，该压阻传感元件具有较低的TCR值，并且通过调节工艺参数不仅能够调控元件的GF值，而且能够调控元件的TCR值，从而得到同时具有高GF值、低TCR值的压阻传感元件，实现压阻传感元件的高灵敏度、宽温度范围适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 掺杂 非晶碳压阻 传感 元件 制备 方法 调控 | ||
【主权项】：
一种金属掺杂非晶碳压阻传感元件，其特征是：由衬底、金属掺杂非晶碳薄膜、金属电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于衬底表面，金属电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面；所述金属掺杂非晶碳压阻传感元件的制备方法包括如下步骤：步骤1：将衬底置于真空腔室中，利用氩离子刻蚀衬底表面；步骤2：向镀膜腔室内通入碳氢气体，通过阳极层离子源离化提供碳源，在衬底表面沉积类金刚石碳膜，同时开启磁控溅射源，通入Ar气，在衬底表面溅射沉积金属原子，离子源电流为0.1A～0.5A，磁控靶电流为1.2A～5A，腔体内气体压力为0.2Pa～1Pa，基体直流脉冲偏压为‑50V～‑400V；步骤3：将步骤2得到的表面沉积金属掺杂非晶碳膜的衬底从镀膜腔室中取出，在金属掺杂非晶碳膜表面留出待沉积电极区域，其余区域采用掩模板覆盖，然后再次放入腔体中，采用磁控溅射技术在待沉积区域溅射沉积金属电极；所述的金属掺杂非晶碳压阻传感元件的TCR值为190～980ppmK‑1，GF值为200～600；所述的掺杂金属为W。
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