[发明专利]清洗组合物、半导体装置的制造方法及清洗方法有效
| 申请号： | 201410424866.5 | 申请日： | 2011-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104152297B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 稻叶正;高桥和敬;高桥智威;水谷笃史 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;C11D7/26;B08B3/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王彦慧 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以抑制半导体基板的金属的腐蚀、且半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的除去性优异的清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法。一种清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法，其特征在于，所述组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其包括(成分a)水、(成分b)胺化合物、(成分c)羟胺及/或其盐、(成分d)季铵化合物、(成分e)有机酸、以及(成分f)水溶性有机溶剂，且pH为6～9。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 组合 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种清洗组合物，其特征在于，所述清洗组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其pH为6～9，且不含有无机酸，其包括：成分a，即水；成分b，即间苯二甲胺；成分c，即羟胺及/或其盐；成分d，即季铵氢氧化物；成分e，即选自单羧酸及多羧酸中的至少一种；以及成分f，即选自醇系溶剂及醚系溶剂中的至少一种。
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