[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410425711.3 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105448830B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构；在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽，所述第一凹槽深度小于所述隔离结构的深度；在所述第一凹槽内填充满第一半导体材料层，且第一半导体材料层高于所述半导体衬底，所述高于半导体衬底的第一半导体材料层呈分立结构；在所述半导体衬底、隔离结构、第一半导体材料层上形成第一连接层；去除高于半导体衬底的第一半导体材料层和第一连接层。采用本发明的方法可以提高后续形成的半导体器件的有源区的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构；在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽，所述第一凹槽深度小于所述隔离结构的深度；在所述第一凹槽内填充满第一半导体材料层，且第一半导体材料层高于所述半导体衬底，所述高于半导体衬底的第一半导体材料层呈分立结构；在所述半导体衬底、隔离结构、第一半导体材料层上形成第一连接层；去除高于半导体衬底的第一半导体材料层和第一连接层；去除高于半导体衬底的第一半导体材料层和第一连接层后，还包括下列步骤：在剩余的所述第一半导体材料层内形成第二凹槽，所述第二凹槽的底部露出第一半导体材料层；在所述第二凹槽内的第一半导体材料层上形成过渡层，所述过渡层与所述半导体衬底上表面齐平；在所述过渡层上形成第二半导体材料层；对所述第二半导体材料层进行N型掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
