[发明专利]层状交错电容的制备方法和层状交错电容

摘要

公开了一种层状交错电容的制备方法和层状交错电容。所述制备方法通过交替形成导电层和介质层，并且使得介质层覆盖相邻的导电层的除一侧端部以外的部分，导电层被露出的端部与其它的导电层连接，由此形成为交错的层状结构，且导电层之间在导电层形成后即相互连接，无需专门的端部连接工艺，由此，简化了层状交错电容的制备工艺，提高了制造的精确度。

主权项

一种层状交错电容的制备方法，包括：在衬底上形成第一导电层；交替形成N个第一结构和N个第二结构，N为预定自然数；其中，形成第一结构包括：形成介质层，所述第一结构的介质层覆盖所述第一导电层或相邻的第二结构的导电层除第一端部以外的部分，所述第一结构的介质层的第二端部与下方相邻的第二结构的介质层的第二端部连接；形成导电层，所述第一结构的导电层覆盖所述第一结构的介质层除第一端部以外的部分，并在第二端部与相邻的第一结构导电层的第二端部连接；形成第二结构包括：形成介质层，所述第二结构的介质层覆盖相邻的第一结构的导电层除第二端部以外的部分，所述第二结构的介质层的第一端部与下方相邻的第一结构的介质层的第一端部连接；形成导电层，所述第二结构的导电层覆盖所述第二结构的介质层除第二端部以外的部分，并与相邻的第二结构的导电层的第一端部连接；其中，所述介质层和导电层的第一端部位于第一侧；所述介质层和导电层的第二端部位于第二侧；其中，所述第一导电层和第二结构的导电层分别基于第一掩膜图案利用分子束外延法一次形成；所述第一结构的介质层和所述第二结构的介质层分别基于第二掩膜图案利用分子束外延法一次形成；所述第一结构的导电层基于第三掩膜图案利用分子束外延法一次形成；所述第一掩膜图案、第二掩膜图案和第三掩膜图案设置于可移动掩膜板上，所述可移动掩膜板与所述衬底相对设置。