[发明专利]低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410426219.8 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104201256B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 杨静;赵德刚;陈平;刘宗顺;江德生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法，包括如下步骤步骤1将一衬底升温，在氢材料气环境下热处理；步骤2在衬底上生长一层低温成核层，为后续外延生长提供成核中心；步骤3在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；步骤4在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层，形成外延片；步骤5在氮气环境下，将外延片高温退火，使其P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率的P型铝镓氮层材料。本发明可以降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质浓度，从而减轻受主补偿作用，达到降低P型材料电阻率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 低温 型铝镓氮 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底升温，在氢材料气环境下热处理；步骤2：在衬底上生长一层低温成核层，为后续外延生长提供成核中心；步骤3：在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；所述非故意掺杂模板层的生长温度为1040℃，厚度为2μm；步骤4：在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层，形成外延片；步骤5：在氮气环境下，将外延片高温退火，使其P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率的P型铝镓氮层材料；所述低电阻率低温P型铝镓氮材料是通过降低P型材料中的非故意掺杂碳杂质浓度，降低受主补偿作用来实现低电阻率的，所含碳浓度低于2×1017cm‑3；所述降低P型铝镓氮材料中非故意掺杂碳杂质浓度是通过控制生长条件的方法主要有提高氨气流量或提高反应室压力或降低三甲基镓流量来实现的。
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