[发明专利]发光装置以及采用该发光装置的显示装置有效
| 申请号： | 201410426400.9 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105374919B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 任梦昕;李群庆;张立辉;陈墨;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/42;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光装置，其包括一第一电极、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一第二电极；所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层层叠设置；其中，所述第二电极为一设置于该第二半导体层表面的金属超材料层，所述金属超材料层为一连续的金属层，且该连续的金属层定义多个周期设置的开口从而形成多个周期设置的超材料单元；且所述金属超材料层与所述活性层之间的距离小于等于100纳米，该金属超材料层通过等离子体激元场共振实现对活性层发出的光的纳米级起偏，使该发光装置直接发出偏振光。采用该发光装置的显示装置无需专门偏振元件，结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 以及 采用 显示装置 | ||
【主权项】：
一种发光装置，其包括：一第一电极、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一第二电极；所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层层叠设置，所述第一电极与该第一半导体层电连接，且所述第二电极与该第二半导体层电连接；其特征在于，所述第一半导体层和第二半导体层分别为N型半导体层和P型半导体层两种类型中的一种，所述第二电极为一设置于该第二半导体层表面的金属超材料层，所述金属超材料层为一连续的金属层，且该连续的金属层定义多个周期设置的开口从而形成多个周期设置的超材料单元；且所述金属超材料层与所述活性层之间的距离小于等于100纳米，该金属超材料层通过等离子体激元场共振实现对活性层发出的光的纳米级起偏，使该发光装置直接发出偏振光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410426400.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：淡水鱼复合微生物配合饲料及其生产方法
- 下一篇：压感标签及其专用材料
