[发明专利]一种缩小版场效应管的制造方法

摘要

本发明公开了一种缩小版场效应管的制造方法。该方法首先在N型硅外延片上制作场限环、终端扩展及主结过渡区结构，然后制作出N型截止环及多晶结构，再制作出接触孔和正面金属结构电极，最后制作出背面金属结构。通过采用场限环和终端扩展技术，经优化的尺寸结构、注入剂量及能量、推进温度及时间，成功制造出缩小版场效应管。在保证原有芯片性能的前提下，较原有采用电阻场板技术的场效应管芯片面积缩小了17.8%，以6寸硅片计算，单片硅片所制作出的芯片数由1070支增加到1257支，芯片数量增加17.47%，大大降低了单位芯片的成本，从而满足了市场需求。

主权项

一种缩小版场效应管的制造方法，其特征在于：首先在N型硅外延片上制作场限环、终端扩展及主结过渡区结构，然后制作出N型截止环及多晶结构，再制作出接触孔和正面金属结构电极，最后制作出背面金属结构，其步骤是：步骤一.经过一次氧化在N型硅外延片表面生长一层氧化硅绝缘介质膜，通过光刻方法制作出场限环区域及主结过渡区域，并对场限环区域和主结过渡区域加以注入P型离子；步骤二.经过二次氧化在N型硅外延片表面生长一层氧化硅绝缘介质膜，通过光刻方法制作出N型截止环区，并对N型截止环区注入N型离子，在高温推进作用下扩散形成N型截止环和终端扩展结构；步骤三.通过氧化形成栅氧，然后垫积参磷多晶硅后，通过光刻方法制作出多晶栅图形，通过干法刻蚀形成多晶栅结构，对整体区域注入P型离子，并通过高温推进强化终端扩展结构；步骤四.通过光刻方法对N型截止环区再次注入N型离子，强化N型截止环；步骤五.通过化学气相垫积方法垫积出绝缘介质层，利用光刻方法制作出接触孔图形，通过湿法刻蚀和干法刻蚀刻蚀出接触孔；步骤六.通过物理垫积方法在硅片表面垫积一层金属，再利用光刻方法制作出正面金属结构图形，最后利用湿法刻蚀方法刻蚀出金属场板、栅极电极及源极电极；步骤七.最后利用研磨方法将硅片减薄，利用蒸发方法在硅片背面蒸发上金属，制作出背面漏极电极。