[发明专利]一种制备黑硅的方法

摘要

本发明涉及一种制备黑硅的方法，属于黑硅材料制备的技术领域。本方法解决了现有黑硅的制法的不足。本发明提供的制备黑硅的方法包括：对基片进行表面清洁处理；采用共蒸发法在上述基片表面沉积厚度为大于3μm的硅铝共掺杂膜；将镀有硅铝共掺杂膜的基片浸泡在碱刻蚀溶液中，采用超声波对镀有硅铝共掺杂膜的基片进行处理后，用去离子水清洗并用氮气吹干，制备得到黑硅。该方法简化制备工艺的过程，降低黑硅的制备成本，适合大面积黑硅的制备，同时避免使用昂贵复杂的制造设备以及对环境、人体产生危害。

主权项

一种制备黑硅的方法，其特征在于，包括：对基片进行表面清洁处理；采用共蒸发法在上述基片表面沉积厚度为大于3μm的硅铝共掺杂膜；将镀有硅铝共掺杂膜的基片浸泡在碱刻蚀溶液中，采用超声波对镀有硅铝共掺杂膜的基片进行处理后，用去离子水清洗并用氮气吹干，制备得到黑硅。