[发明专利]n沟道非易失性存储元件及其编译方法

摘要

本发明公开了一种n沟道非易失性存储元件，包括p型半导体衬底，其包括n型掺杂的源区和漏区，以及位于源漏区之间的p型掺杂的晕圈注入区；以及位于p型半导体衬底上的n型掺杂的源漏区之间的栅极结构，该栅极结构从包括栅氧化层、多晶硅浮栅、中间绝缘层和控制栅极。当n沟道非易失性存储元件编译时，通过在控制栅极上施加正的栅极电压、在源区施加0V的源极电压、在漏区施加大于源极电压的漏极电压以及在衬底上施加正的衬底电压，在栅极电压和源极电压的电压差作用下使得晕圈注入区靠近源区和栅氧化层的区域中产生带带遂穿电子，该带带遂穿电子在衬底电压和源极电压的电压差作用下加速并在栅极电压作用下进入所述栅氧化层。本发明能够解决p沟道存储器件的擦除饱和的问题。

主权项

一种n沟道非易失性存储元件，其特征在于，包括：p型半导体衬底，其包括n型掺杂的源区和漏区，以及位于所述源区和漏区之间的p型掺杂的晕圈注入区；以及位于所述p型半导体衬底上所述n型掺杂的源区和漏区之间的栅极结构，该栅极结构从所述p型半导体衬底向上依次包括栅氧化层、多晶硅浮栅、中间绝缘层和控制栅极，其中，当所述n沟道非易失性存储元件编译时，通过在所述控制栅极上施加一正的栅极电压、在所述源区施加一0V的源极电压、在所述漏区施加大于所述源极电压的漏极电压以及在所述衬底上施加一正的衬底电压，在所述栅极电压和源极电压的电压差作用下使得所述晕圈注入区靠近所述源区和栅氧化层的区域中产生带带遂穿电子，该带带遂穿电子在所述衬底电压和源极电压的电压差作用下加速并在所述栅极电压作用下进入所述栅氧化层。