[发明专利]一种刻蚀方法

摘要

本发明公开一种刻蚀方法。该方法能够保护浮置栅侧壁并且形成较好的有源区角。该方法包括：在衬底上依次形成有源区、隧道氧化物层、多晶硅层、掩膜层；在隧道氧化物层、多晶硅层、掩膜层中形成沟槽；在所述沟槽侧壁上形成保护膜；对所述有源区进行刻蚀；以及去除保护膜。

主权项

1.一种半导体器件制作方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有有源区在所述有源区上依次形成隧道氧化物层、多晶硅层、掩膜层；b)采用等离子体刻蚀工艺依次刻蚀掩膜层、多晶硅层和隧道氧化物层，形成沟槽；c)在所述沟槽侧壁上形成保护膜；d)继续刻蚀所述有源区，形成隔离沟槽；e)去除所述保护膜；f)在所述隔离沟槽内壁形成内衬氧化物；以及g)填充所述隔离沟槽，其中，步骤c)中所述保护膜为执行步骤b)过程中形成的刻蚀副产品的聚合物，步骤c)包括在刻蚀室增加一定量的刻蚀副产品聚合物，并且步骤c)和步骤d)的时间被设置成使得所述保护膜能够充分保护所述多晶硅层。