[发明专利]Cs2CO3掺杂石墨烯为电子注入层的有机电致发光器件有效
申请号: | 201410428684.5 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN105449114B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 高永慧;汤茜;张刚 | 申请(专利权)人: | 吉林师范大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司22204 | 代理人: | 石岱 |
地址: | 136000 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明属于有机电致发光器件领域,具体涉及一种采用Cs2CO3掺杂石墨烯为电子注入层来提高器件效率和亮度的有机电致发光器件,该有机电致发光器件的结构依次包括ITO阳极、空穴传输层、发光层兼电子传输层、电子注入层、阴极,所述的电子注入层为Cs2CO3掺杂石墨烯,采用有机气相沉积的方法将Cs2CO3和石墨烯同时加热蒸发,然后沉积到ITO玻璃上得到其薄膜,该器件具有操作简单、高效率、制备成本较低的特点。 | ||
搜索关键词: | cs sub co 掺杂 石墨 电子 注入 有机 电致发光 器件 | ||
【主权项】:
Cs2CO3掺杂石墨烯为电子注入层的有机电致发光器件,器件的结构依次是:ITO阳极、空穴传输层、发光层兼电子传输层、电子注入层、阴极,其特征在于:电子注入层为Cs2CO3掺杂石墨烯,采用有机气相沉积的方法将Cs2CO3和石墨烯同时加热蒸发,然后沉积到ITO玻璃上得到其薄膜;所述的空穴传输层厚度为50nm,发光层兼电子传输层的厚度为80nm,电子注入层的厚度为1nm,阴极的厚度为100nm;其中,电子注入层中Graphene与Cs2CO3的质量分数之比为1:4,石墨烯掺杂浓度为20%。
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H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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