[发明专利]DRAM组合控制方法有效
| 申请号： | 201410428860.5 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105446908B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王大志;叶绍镇;陈派林 | 申请（专利权）人： | 珠海全志科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉;李双皓 |
| 地址： | 519080 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DRAM组合控制方法，包括如下步骤：根据PCB所需DRAM，按照DRAM控制器外围的高低DQ组交换连接电路对一片DRAM进行设置，或对多片DRAM进行组合；根据一片或多片DRAM的规格，以及一片DRAM的设置方式或多片DRAM的组合方式，对DRAM控制器的第一控制端进行信号源配置。其通过PCB所需DRAM的规格，按照高低DQ组交换连接方式对一片DRAM进行设置，或对多片DRAM进行组合后，根据选择的一片DRAM的规格和设置方式，或多片DRAM的规格和组合方式，对DRAM控制器的第一控制端进行信号源配置，使得组合后的DRAM满足所需的DRAM的规格。最终实现了在同一块PCB上可以兼容多种不同规格的DRAM的目的。有效地解决了现有技术限制DRAM的兼容性，不利于降低电子系统的开发成本的问题。 | ||
| 搜索关键词： | dram 组合 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM组合控制方法，其特征在于，包括如下步骤：根据PCB所需DRAM，按照DRAM控制器外围的高低DQ组交换连接电路对一片DRAM进行设置，或对多片DRAM进行组合；根据所述一片或多片DRAM的规格，以及所述一片DRAM的设置方式或多片DRAM的组合方式，对所述DRAM控制器的第一控制端进行信号源配置；通过设计DRAM控制器外围的连接电路为高低DQ组交换连接链路，实现根据PCB所需DRAM，按照设计的高低DQ组交换电路对一片或多片DRAM进行组合；所述DRAM控制器外围的所述高低DQ组交换连接电路包括第一PCB封装和第二PCB封装；所述第一PCB封装为双RANK设置，所述第二PCB封装为单RANK设置；所述第一PCB封装的第一片选信号端与所述DRAM控制器的第二控制端连接；所述第一PCB封装的第二片选信号端和所述第二PCB封装的片选信号端，均与所述DRAM控制器的第一控制端连接；所述第一PCB封装的高位输入端和所述第二PCB封装的低位输入端，均与所述DRAM控制器的第一输出端连接；所述第一PCB封装的低位输入端和所述第二PCB封装的高位输入端，均与所述DRAM控制器的第二输出端连接。
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