[发明专利]一种二硒化铂晶体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410429723.3 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104233214B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王业亮;李林飞;王裕祺;高鸿钧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硒化铂二维晶态材料及其制备方法，其步骤包括：1)在真空环境下，将适量高纯度硒蒸发沉积到过渡金属铂基底上；2)进行退火处理，以使覆盖在所述基底表面的硒原子和基底铂原子发生相互作用，形成硒‑铂‑硒三明治排布的二维有序晶态膜状结构，从而获得二硒化铂晶态材料。这种无机二维晶态材料是过渡金属二硫属化合物家族的新成员，拓展了非碳基二维晶体材料的研究领域，在未来信息电子学及器件开发研究方面具有广泛的应用潜力。本发明通过分子束外延方法生长出了大面积高质量的二硒化铂二维晶态材料，便于进一步研究二硒化铂晶态材料的电子性质及相关应用开发。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硒化铂 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二硒化铂二维晶态材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在真空环境下，将适量高纯度硒蒸发沉积到过渡金属基底上；2)进行退火处理，以使覆盖在所述基底表面的硒原子和基底铂原子发生相互作用，形成硒‑铂‑硒三明治排布的二维有序晶态膜状结构，从而获得二硒化铂晶态材料，其中，所述二硒化铂三明治结构中最顶层的硒原子呈六方密排分布，周期为0.37nm；所述过渡金属基底为铂的面(111)；所述面(111)的形成步骤为：在真空腔内对铂单晶进行氩离子溅射，然后将铂基底加热并保持在850℃进行高温退火；所述退火温度为300℃；所述二硒化铂晶态材料在铂的面(111)形成了周期为1.1nm的超结构，该周期性超结构可以被扫描隧道显微镜和低能电子衍射仪所表征。
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