[发明专利]一种发光二极管外延片生长方法有效
| 申请号： | 201410430533.3 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104241463B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片生长方法，属于半导体技术领域。所述方法包括将反应腔中的温度控制在第一生长温度，向反应腔中持续通入氨气并间断性地通入三甲基镓源，在玻璃衬底上生长不掺杂层；将反应腔中的温度调至第二生长温度，向反应腔中持续通入氨气和硅源并间断性地通入三甲基镓源，在不掺杂层上生长N型层；将反应腔中的温度调至第三生长温度，向反应腔中持续通入氨气并间断性地通入三甲基镓源和三甲基铟源，在N型层上生长有源层；将反应腔中的温度调至第四生长温度，向反应腔中持续通入氨气、二茂镁源以及间断性通入三甲基镓源，在有源层上生长P型层；第一生长温度、第二生长温度、第三生长温度以及第四生长温度均不超过480°。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片生长方法，其特征在于，所述方法包括：将反应腔中的温度控制在第一生长温度，向所述反应腔中持续通入氨气并间断性地通入三甲基镓源，在玻璃衬底上生长不掺杂层；将反应腔中的温度调至第二生长温度，向所述反应腔中持续通入氨气和硅源并间断性地通入三甲基镓源，在所述不掺杂层上生长N型层；将反应腔中的温度调至第三生长温度，停止向所述反应腔中通入硅源，向所述反应腔中持续通入氨气并间断性地通入三甲基镓源和三甲基铟源，在所述N型层上生长有源层；将反应腔中的温度调至第四生长温度，停止向所述反应腔中通入三甲基铟源，向所述反应腔中持续通入氨气、二茂镁源以及间断性通入三甲基镓源，在所述有源层上生长P型层；所述第一生长温度、所述第二生长温度、所述第三生长温度以及所述第四生长温度均不超过480°；间断性通入三甲基镓源、三甲基铟源采用如下方式实现：通入10‑50秒，间断2‑10秒；所述方法还包括：将所述玻璃衬底进行化学清洗并用氮气枪吹干；将所述玻璃衬底置于所述反应腔中，在氢气氛围下加热至初始温度，对所述玻璃衬底进行预处理，所述初始温度在410°‑440°之间。
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