[发明专利]待切割的半导体芯片结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种待切割的半导体芯片结构及其制造方法，其中，位于两相邻所述半导体芯片之间的切割道表面的钝化层中形成有至少一个沟槽；当受到剪切应力时，具有沟槽的钝化层会优先在应力作用下发生形变甚至翘曲，由此，使剪切应力得到释放，从而降低了传递至半导体芯片处的剪切应力的力矩，避免了半导体芯片被剪切应力所破坏。

主权项

1.一种待切割的半导体芯片结构，其特征在于，包括：半导体基底、形成在半导体基底上的多个半导体芯片和钝化层；其中，相邻所述半导体芯片之间形成有切割道，每个所述半导体芯片包括集成电路区、围绕集成电路区设置的密封环；所述集成电路区包括多层金属互连线以及位于两相邻金属互连线之间的层间介质层；钝化层形成于集成电路区表面、密封环的表面和切割道表面，且位于两相邻所述半导体芯片之间的切割道表面的钝化层中形成有至少一个沟槽；其中，位于每条所述切割道表面上的钝化层中的沟槽包括水平延伸方向与该条切割道水平延伸方向平行的第一沟槽，以及水平延伸方向与该切割道水平延伸方向垂直的第二沟槽；其中，第一沟槽或者第二沟槽临近所述密封环，第二沟槽与第一沟槽相连。