[发明专利]具有多个半导体器件层的半导体结构的系统和方法有效
| 申请号： | 201410431333.X | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104617101B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 林以唐;蔡俊雄;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L25/07;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多层半导体器件结构，其包括第一掩埋氧化物和在掩埋氧化物之上制造的第一半导体器件层。第一半导体器件层包括图案化的顶面。图案化的顶面包括绝缘材料和导体材料。绝缘材料的表面图案密度大于40％。多层半导体器件结构还包括接合至第一半导体器件层的图案化的表面的第二掩埋氧化物和在第二掩埋氧化物之上制造的第二半导体器件层。本发明还涉及具有多个半导体器件层的半导体结构的系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体器件 半导体 结构 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种多层半导体器件结构，包括：第一掩埋氧化物；第一半导体器件层，制造在所述第一掩埋氧化物之上并且包括图案化的顶面，所述图案化的顶面包括绝缘材料和导体材料，其中，所述绝缘材料的表面图案密度大于40％，所述导体材料的表面图案密度小于57％；第二掩埋氧化物，接合至所述第一半导体器件层的所述图案化的顶面；以及第二半导体器件层，制造在所述第二掩埋氧化物之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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