[发明专利]水热法生长大尺寸磷酸钛氧铷体单晶的方法有效
| 申请号： | 201410431441.7 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104178814B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 周海涛;张昌龙;王金亮;何小玲;左艳彬;任孟德;霍汉德;覃世杰;李东平;卢福华;程煜 | 申请（专利权）人： | 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司;桂林百锐光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B7/10 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司45107 | 代理人： | 唐智芳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸钛氧铷体单晶的方法，具体是在高压釜中，以铷离子浓度为0.5～5.5mol/L的RbxH(3‑x)PO4(1≤x≤3)溶液作为矿化剂，采用温差水热法使磷酸钛氧铷溶解并重结晶生长单晶体的方法。与现有的水热法相比，本发明所述方法可以在较低的温度和压力下快速、安全地生长出大尺寸、结晶完整且高光学质量的磷酸钛氧铷体单晶，所得晶体可用于电光器件；工艺更为简单易控，成本更低；与现有的熔盐法相比，生长温度低，系统粘度低，环境密闭，不易引入杂质，并可以获得晶体电光系数最大的Y向器件，且成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 水热法 生长 尺寸 磷酸 钛氧铷体单晶 方法 | ||
【主权项】：
水热法生长大尺寸磷酸钛氧铷体单晶的方法，其特征在于：在高压釜中，以铷离子浓度为0.5～5.5mol/L的RbxH(3‑x)PO4，1≤x≤3溶液作为矿化剂，采用温差水热法使磷酸钛氧铷溶解并重结晶生长单晶体的方法；其中溶解区温度设置为400～600℃，生长区温度设置为350～550℃，温差为10～100℃。
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