[发明专利]包括空穴注入层的半导体发光器件在审
| 申请号： | 201410431583.3 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104425665A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 金在均;金柱成;金峻渊;朴永洙;卓泳助 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据示例实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第一半导体层上的凹坑扩大层、凹坑扩大层上的有源层、空穴注入层以及空穴注入层上的第二半导体层。第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物。凹坑扩大层的上表面和有源层的侧表面在位错上限定了具有斜表面的凹坑。凹坑为倒棱锥形空间。空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的斜表面上。第二半导体层掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 空穴 注入 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：第一半导体层，所述第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物并在其中包括位错；所述第一半导体层上的凹坑扩大层；所述凹坑扩大层上的有源层，所述凹坑扩大层的上表面和所述有源层的侧表面在所述位错上限定了具有斜表面的凹坑，所述凹坑为倒棱锥形空间；空穴注入层，其位于所述有源层的顶表面和所述凹坑的所述斜表面上；以及所述空穴注入层上的第二半导体层，所述第二半导体层掺杂有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。
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